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技術(shù)文章

半導(dǎo)體/太陽能電池材料非接觸渦流法電阻測(cè)試儀EC-80規(guī)格

日本napson緊湊且易于操作的手動(dòng)非接觸式(渦流法)電阻測(cè)量?jī)xEC-80

產(chǎn)品特點(diǎn)

  • 一種簡(jiǎn)單的測(cè)量?jī)x器,只需在探針之間插入樣品即可進(jìn)行測(cè)量
  • 在電阻/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
  • 使用JOG撥盤輕松設(shè)置測(cè)量條件
  • *由于探頭是固定的,因此您可以在購買前從幾種類型的探頭中選擇一種。

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
硅基外延,離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(*請(qǐng)與我們聯(lián)系)

 

測(cè)量尺寸

?8英寸,或?156x156mm

 

測(cè)量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[抗頁電阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探頭類型的總范圍)

*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍,請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

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聯(lián)系人:林經(jīng)理
地址:深圳市龍崗區(qū)龍崗街道新生社區(qū)新旺路和健云谷2棟B座1002
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